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中国

不依赖EUV光刻机!中国科学家突破芯片研制极限

dtnewskhmerBy dtnewskhmer2025-04-08
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在复旦大学集成芯片与系统全国重点实验室的净化间里,身穿实验服的科研人员正向《中国科学报》记者展示手中的芯片。

  二十几块金黄色的芯片整齐排列在透明的托盘上,看起来平平无奇,其中却隐藏着大玄机。每块芯片都集成了5900个基于二维半导体材料的晶体管,这是目前国际上二维逻辑功能最大规模的验证纪录,较此前最高纪录115个晶体管,一举提高了51倍。

  复旦大学教授周鹏、研究员包文中联合团队突破了二维半导体电子学集成度瓶颈,完成了从材料到架构再到流片的全链条自主研发,成功研制出全球首款基于二维半导体材料的32位RISC-V架构微处理器。团队将之命名为“无极”(WUJI),寓意从无到有、没有极限。

  在32位输入指令的控制下,“无极”可以实现最大为42亿的数据间的加减运算,支持GB级数据存储和访问,以及最长达10亿条精简指令集的程序编写。4月2日,相关成果发表于《自然》。

  让晶体管“最终形态”走出实验室

  “说起这项研究成果,要追溯到10年前。”包文中回忆道。2015年7月,包文中加入复旦大学微电子学院,一头扎进晶圆级二维半导体的可控生长及其实际应用研究中。

  这一年,距离二维材料石墨烯的发现过去了11年,二硫化钼(MoS2)等二维半导体材料也开始进入科学家的视野。

  所谓二维(2D),是指材料只在平面延展。厚度仅一到几个原子层,这一“超薄”特性使此类材料展现出非常独特的电子和光学性质,在纳米电子学、光电子学、柔性器件、传感器等领域具有潜在的应用价值。

  MoS2则是最热门的二维半导体材料之一,由于具有天然带隙且带隙类型可调节,其在晶体管和光电器件制造中独具优势。

  包文中指出:“在纳米尺度下,硅材料并不是最好的沟道材料。面对摩尔定律逼近物理极限这一全球性挑战,二维半导体是目前国际公认的破局关键,可以认为是晶体管的‘最终形态’。”

  然而,单个晶体管和能够使用的集成电路之间仍隔着万水千山。好比一位小提琴演奏家的独奏水平非常高,而几十个同样优秀的人组成一支交响乐团,需要排练很长时间才能合奏出悦耳的曲子。倘若人数增加到上万人甚至上亿人,难度就呈指数级增长了。

  因此,尽管MoS2做成的单个晶体管的“个人能力”已广受认可,但由于遭遇工艺精度与规模均匀性的协同良率控制等瓶颈,此前最高集成度仅停留在数百晶体管量级,始终未能跨越功能性微处理器的技术门槛。

  “二维半导体材料到底能不能做成芯片,性能怎么样?我们就是想解答学术界和产业界的这个疑惑。”周鹏告诉《中国科学报》。

  开辟芯片研制的新路

  2021年,课题交到了复旦大学博士研究生敖明睿和周秀诚的手上。此前,团队已经在工艺生产上积累了丰富的经验,并利用化学气相沉积法,在工业界主流12英寸晶圆上实现了MoS2均匀和单层材料的快速生长。

  

  团队合影,左起分别为周鹏、敖明睿、周秀诚、包文中。华亭/摄

  所谓工欲善其事,必先利其器。工业界7纳米、2纳米级别的集成电路,离不开尖端的光刻机等设备。团队的目标是一个面向工业生产的集成电路系统,但所用大多为科研级别的仪器,在硬件不够给力的情况下,他们只能主动适应,不断从试错中积累经验。

  同时,二维半导体材料极薄的特点,给加工带来了极大的挑战。包文中用雕塑进行类比——如果说硅材料是一块大理石,可以用斧头和凿子把它雕塑成人像,二维半导体则是一块豆腐,轻轻一碰就会把人像的胳膊或腿破坏了,必须用特殊设备加工。

  “二维半导体的生产工艺是环环相扣的,不仅前一个步骤会影响后一个步骤,后一个步骤也会影响前面的步骤。”包文中说。

  这几年,敖明睿和周秀诚日复一日做实验,耐心打磨细节,一点点调参数、控制实验室环境、优化工艺步骤。

  “我们曾在某一个步骤停了很长时间,最后分析才发现是前面某一个工艺有问题导致的。所以每完成一步工艺,我们都要做相应的测试,如果有问题就及时调整。”周秀诚补充说。

  值得一提的是,结合团队以往积累的大量材料和工艺数据以及复旦大学在人工智能(AI)方面的布局,团队开发了AI驱动的一贯式协同工艺优化技术,通过“原子级界面精准调控+全流程AI算法优化”双引擎,实现了从材料生长到集成工艺的精准控制。“利用AI算法推荐的组合,我们能够更高效地在实验室里把芯片做出来。”包文中表示。

  于是,在成员的共同努力以及新技术的加持下,团队最终破解了二维材料-接触-栅介质-后道工艺的精确耦合调控难题,并利用原子级精度的加工和表征技术,验证了规模化的数字电路。

  “这并不是一个颠覆性的整体变化。就像建造一栋办公楼,地基和主体都和原来一样,只是中间有几层被用作商场而不是办公室,需要专门设计。”包文中介绍,“无极”的集成工艺中有70%左右可直接沿用现有硅基产线成熟技术,其余核心的二维特色工艺,则结合了团队自主设计的专用工艺设备和体系,包含20余项工艺发明专利。

  一个个测试数据都表明,“无极”的集成工艺优化和规模化电路程度,均达到国际同期最优水平。包文中自信地说:“我们利用国产半导体设备和开源RISC-V架构,不依赖先进的EUV光刻机,而是融合了自主研发的二维半导体全套集成工艺,为开辟一条我国全新的芯片自主研发之路奠定了基础。”

  二维半导体不会取代硅”

  “正如地铁出现以后,公交车依然有价值,二维半导体芯片和硅基芯片是互补的关系。”周鹏表示,“‘无极’采用微米级工艺,其功耗和纳米级芯片功耗相当,如果采用更好的光刻机设备,功耗将进一步降低,将来在对低功耗有更高要求的设备上更具优势。”

  周鹏同时强调:“‘无极’只是概念验证原型,整体性能和目前的商用芯片仍存在一定距离,当前并不具备市场优势。”

  目前,团队正为“无极”的转化落地努力。一方面,他们将进一步提升二维电子器件的性能和集成度,突破当前晶体管集成度瓶颈,使其在更多应用场景中具备更强的竞争力。另一方面,在产业化进程上,团队加强与现有硅基产线技术的结合,推动核心二维特色工艺的产业化应用,并与相关企业和机构合作,使其尽快在实际产品中发挥作用。

  包文中表示,过去几十年间,集成电路的发展为二维半导体芯片的产业化发展积累了丰富经验,“有理由相信,二维半导体芯片性能可以在较短时间内追上硅基芯片,最终形成和硅基芯片长期共存、应用互补的局面”。

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